창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7319PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7319PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001555176 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7319PBF | |
관련 링크 | IRF731, IRF7319PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
IRFBC40LCS | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | IRFBC40LCS.pdf | ||
PALCE22C10H-15JC/4 | PALCE22C10H-15JC/4 AMD PLCC28 | PALCE22C10H-15JC/4.pdf | ||
SN24779 | SN24779 TI CDIP | SN24779.pdf | ||
HP5576B | HP5576B WYC DIP | HP5576B.pdf | ||
CT2101 | CT2101 ORIGINAL SOT23-6 | CT2101.pdf | ||
ASP15332012 | ASP15332012 SAT SMD or Through Hole | ASP15332012.pdf | ||
M3/1206-36V | M3/1206-36V DIODES SOD-123 | M3/1206-36V.pdf | ||
XC25BS6 | XC25BS6 TOREX SOT | XC25BS6.pdf | ||
534206-8 | 534206-8 TYCO con | 534206-8.pdf | ||
CY8C24794-24LFXI1 | CY8C24794-24LFXI1 CYPRESS QFN56 | CY8C24794-24LFXI1.pdf | ||
XY83210 | XY83210 ORIGINAL DIP-42L | XY83210.pdf | ||
HI5714-7CB | HI5714-7CB HARRIS SOP-24L | HI5714-7CB.pdf |