창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7314PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7314PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 2.9A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 780pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | SP001562198 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7314PBF | |
| 관련 링크 | IRF731, IRF7314PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385320063JDI2B0 | 0.02µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385320063JDI2B0.pdf | |
![]() | RG1005N-9092-B-T5 | RES SMD 90.9KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-9092-B-T5.pdf | |
![]() | ADP3162JRZ-REEL7 | ADP3162JRZ-REEL7 ONSemiconductor 16-SOICN | ADP3162JRZ-REEL7.pdf | |
![]() | TX1054NLT | TX1054NLT PULSE SOP-16 | TX1054NLT.pdf | |
![]() | LM75CHM-5 | LM75CHM-5 NS SOP8 | LM75CHM-5.pdf | |
![]() | 33170 | 33170 MOTOROLA SSOP16 | 33170.pdf | |
![]() | S14K250E2K1 | S14K250E2K1 EPCOS DIP | S14K250E2K1.pdf | |
![]() | IRF6727MTR1PBF | IRF6727MTR1PBF IR SMD or Through Hole | IRF6727MTR1PBF.pdf | |
![]() | PGA-241AT-80 | PGA-241AT-80 ORIGINAL SMD or Through Hole | PGA-241AT-80.pdf | |
![]() | DQF325YWYK | DQF325YWYK SONY SOP20 | DQF325YWYK.pdf | |
![]() | MN62000HL | MN62000HL PANASONIC TQFP128 | MN62000HL.pdf |