창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7314PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7314PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 2.9A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 780pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | SP001562198 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7314PBF | |
| 관련 링크 | IRF731, IRF7314PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CD214A-R150 | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | CD214A-R150.pdf | |
![]() | EC2-3TNU | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | EC2-3TNU.pdf | |
![]() | AU1J104M05011 | AU1J104M05011 samwha DIP-2 | AU1J104M05011.pdf | |
![]() | IMIC5003BYB | IMIC5003BYB CYPRESS SOP60 | IMIC5003BYB.pdf | |
![]() | PW118 | PW118 PREWELL SOT89 | PW118.pdf | |
![]() | ICX244AKY-C | ICX244AKY-C SONY CCD | ICX244AKY-C.pdf | |
![]() | WPCM450KA0BX | WPCM450KA0BX ORIGINAL SMD or Through Hole | WPCM450KA0BX.pdf | |
![]() | XC56303GC100B | XC56303GC100B MC BGA | XC56303GC100B.pdf | |
![]() | NACE221M63V12.5X14TR13F | NACE221M63V12.5X14TR13F NICCOMP SMD | NACE221M63V12.5X14TR13F.pdf | |
![]() | CR1220.TS | CR1220.TS RENATABATTERIES CRSeriesLithium12 | CR1220.TS.pdf | |
![]() | TD-S500-160MA | TD-S500-160MA BUSSMAN SMD or Through Hole | TD-S500-160MA.pdf | |
![]() | LTV-227NDG | LTV-227NDG LITEON NA | LTV-227NDG.pdf |