창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF730STRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF730S, SiHF730S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF730STRRPBF | |
| 관련 링크 | IRF730S, IRF730STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BI-11-33E-16.00000E | OSC XO 3.3V 16MHZ OE | SIT8008BI-11-33E-16.00000E.pdf | |
![]() | ELL-4GG101M | 100µH Shielded Wirewound Inductor 250mA 2.4 Ohm Nonstandard | ELL-4GG101M.pdf | |
![]() | CRCW060316R0FKEAHP | RES SMD 16 OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW060316R0FKEAHP.pdf | |
![]() | RTA024D150JTH | RTA024D150JTH RALEC SMD or Through Hole | RTA024D150JTH.pdf | |
![]() | CRS1/8 4023FT | CRS1/8 4023FT HR 5KREEL3 | CRS1/8 4023FT.pdf | |
![]() | TMCSA1C335MTRF | TMCSA1C335MTRF ORIGINAL SMD or Through Hole | TMCSA1C335MTRF.pdf | |
![]() | BBRF550 | BBRF550 DIP 10ROHS | BBRF550.pdf | |
![]() | MAX6326UR25-T | MAX6326UR25-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6326UR25-T.pdf | |
![]() | LH52256L-12 | LH52256L-12 SHARP DIP | LH52256L-12.pdf | |
![]() | PBY201209T-300Y-S | PBY201209T-300Y-S ORIGINAL SMD or Through Hole | PBY201209T-300Y-S.pdf | |
![]() | FDD8444L | FDD8444L FAIRCHILD TO-252(DPAK) | FDD8444L.pdf | |
![]() | HEC409BDB | HEC409BDB PHILIPS DIP | HEC409BDB.pdf |