창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF730STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF730S, SiHF730S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF730STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRF730S, IRF730STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 08051C392J4T2A | 3900pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08051C392J4T2A.pdf | |
![]() | RT0603WRD072K74L | RES SMD 2.74K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRD072K74L.pdf | |
![]() | LTC6601IUF-1#P | LTC6601IUF-1#P LT SMD or Through Hole | LTC6601IUF-1#P.pdf | |
![]() | 0603 5% 0R | 0603 5% 0R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 5% 0R.pdf | |
![]() | AT28C64-25S | AT28C64-25S ATMEL SOP28 | AT28C64-25S.pdf | |
![]() | ASM810LEURF | ASM810LEURF ALLIANCE SOT-23 | ASM810LEURF.pdf | |
![]() | M1962M-5178 | M1962M-5178 EPCOS SMD or Through Hole | M1962M-5178.pdf | |
![]() | D1506/B1065 | D1506/B1065 ROHM TO126 | D1506/B1065.pdf | |
![]() | FH16P-64S-0.5SHW(0 | FH16P-64S-0.5SHW(0 HRS SMD or Through Hole | FH16P-64S-0.5SHW(0.pdf | |
![]() | MAX602CWN | MAX602CWN MAX SOP | MAX602CWN.pdf |