창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF730PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information IRF730,SiHF730 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF730PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF730PBF | |
관련 링크 | IRF73, IRF730PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D680FXXAJ | 68pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D680FXXAJ.pdf | |
![]() | C911U180JVNDBAWL35 | 18pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U180JVNDBAWL35.pdf | |
![]() | 760871632 | TRANS FLYBACK NXP TEA1733 4.0MH | 760871632.pdf | |
![]() | 10K121 | 10K121 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10K121.pdf | |
![]() | YC2073 | YC2073 FH TO-220 | YC2073.pdf | |
![]() | Q62702A1084 | Q62702A1084 INFINEON SMD or Through Hole | Q62702A1084.pdf | |
![]() | HD6477042AF28V | HD6477042AF28V RENESAS SMD or Through Hole | HD6477042AF28V.pdf | |
![]() | MAFR-000268-000001 | MAFR-000268-000001 ORIGINAL SMD | MAFR-000268-000001.pdf | |
![]() | LH52256AVHT | LH52256AVHT SHARP SMD or Through Hole | LH52256AVHT.pdf | |
![]() | DG2032DN-T1-E4 | DG2032DN-T1-E4 VISHAY LCC | DG2032DN-T1-E4.pdf | |
![]() | 240-0545-B | 240-0545-B MTI SMD or Through Hole | 240-0545-B.pdf |