창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF730BPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TO-220AB Package Drawing IRF730B Datasheet | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 311pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF730BPBF | |
| 관련 링크 | IRF730, IRF730BPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ALZ52F24TW | ALZ RELAY 1 FORM A 24V | ALZ52F24TW.pdf | |
![]() | MBB02070C3572FCT00 | RES 35.7K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3572FCT00.pdf | |
![]() | ALSR05800R0FE12 | RES 800 OHM 5W 1% AXIAL | ALSR05800R0FE12.pdf | |
![]() | ICS-00670B-400 | ICS-00670B-400 CMD QFP | ICS-00670B-400.pdf | |
![]() | LM1826M | LM1826M NS SOP-8 | LM1826M.pdf | |
![]() | ETK81-060A | ETK81-060A FUJI SMD or Through Hole | ETK81-060A.pdf | |
![]() | IM4A5-96/48-10VC-1 | IM4A5-96/48-10VC-1 LATT TQFP100 | IM4A5-96/48-10VC-1.pdf | |
![]() | PCS125-680M-RC | PCS125-680M-RC ALLIED NA | PCS125-680M-RC.pdf | |
![]() | 966353000000 | 966353000000 HARTING SMD or Through Hole | 966353000000.pdf | |
![]() | IXDD509SIAT/R | IXDD509SIAT/R IXYS 8-PinSOIC | IXDD509SIAT/R.pdf | |
![]() | A15 NA-415 | A15 NA-415 ORIGINAL SMD or Through Hole | A15 NA-415.pdf | |
![]() | NRSD-24V | NRSD-24V ORIGINAL NULL | NRSD-24V.pdf |