창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF730ASTRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF730AS,AL, SiHF730AS,AL | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF730ASTRR | |
| 관련 링크 | IRF730, IRF730ASTRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GL037F23IET | 3.6864MHz ±20ppm 수정 20pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL037F23IET.pdf | |
![]() | 402F25033CLT | 25MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F25033CLT.pdf | |
![]() | 3630F330MT | 33µH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 100 mOhm Max Nonstandard | 3630F330MT.pdf | |
![]() | AMD8131BLC | AMD8131BLC AMD BGA-M | AMD8131BLC.pdf | |
![]() | MX29LV400BTTC-70 | MX29LV400BTTC-70 mx TSOP | MX29LV400BTTC-70.pdf | |
![]() | Z84C8010VSC | Z84C8010VSC ZILOG PLCC | Z84C8010VSC.pdf | |
![]() | DG1000( | DG1000( ORIGINAL SMD or Through Hole | DG1000(.pdf | |
![]() | LQW1608A15NG00T1M00 | LQW1608A15NG00T1M00 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW1608A15NG00T1M00.pdf | |
![]() | TJ7660N(DIP-8) | TJ7660N(DIP-8) HTC SMD or Through Hole | TJ7660N(DIP-8).pdf | |
![]() | PS21313-G | PS21313-G MITSUBIS SMD or Through Hole | PS21313-G.pdf | |
![]() | HN16015 | HN16015 N/A SOP16 | HN16015.pdf |