창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF730ASTRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF730AS,AL, SiHF730AS,AL | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF730ASTRLPBF | |
| 관련 링크 | IRF730AS, IRF730ASTRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| BZT55A20-GS08 | DIODE ZENER 20V 500MW SOD80 | BZT55A20-GS08.pdf | ||
![]() | RT334018 | RELAY GEN PURP | RT334018.pdf | |
![]() | CRG0201F154K | RES SMD 154K OHM 1% 1/20W 0201 | CRG0201F154K.pdf | |
![]() | RCP1206B30R0JEC | RES SMD 30 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B30R0JEC.pdf | |
![]() | TS68HC822E2MC | TS68HC822E2MC AMTEL CDIP | TS68HC822E2MC.pdf | |
![]() | MC10E141FN. | MC10E141FN. ONsemi PLCC28 | MC10E141FN..pdf | |
![]() | AD 5160 BRJZ-100 | AD 5160 BRJZ-100 AD SMD or Through Hole | AD 5160 BRJZ-100.pdf | |
![]() | 773083391 | 773083391 CTS SMD or Through Hole | 773083391.pdf | |
![]() | AGT06-04 | AGT06-04 ORIGINAL DIP | AGT06-04.pdf | |
![]() | G6E-134P-ST-US-5VDC | G6E-134P-ST-US-5VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G6E-134P-ST-US-5VDC.pdf | |
![]() | FF0851SA1 | FF0851SA1 JAE SMD | FF0851SA1.pdf | |
![]() | PIC16C926 | PIC16C926 MICROCHI QFP | PIC16C926.pdf |