창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF730ASTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF730AS,AL, SiHF730AS,AL | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF730ASTRLPBF | |
관련 링크 | IRF730AS, IRF730ASTRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MKP385451016JFP2B0 | 0.51µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | MKP385451016JFP2B0.pdf | |
![]() | CRCW0805280RFHEAP | RES SMD 280 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805280RFHEAP.pdf | |
![]() | Y09251K00000T0L | RES 1K OHM 8W 0.01% TO220-2 | Y09251K00000T0L.pdf | |
![]() | 250V4UF | 250V4UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 250V4UF.pdf | |
![]() | BZD27C5V1P-GS08 | BZD27C5V1P-GS08 VISHAY SMD or Through Hole | BZD27C5V1P-GS08.pdf | |
![]() | TL376CNE | TL376CNE TI DIP 14 | TL376CNE.pdf | |
![]() | 14042BG | 14042BG ON SOP-16 | 14042BG.pdf | |
![]() | 2101-V to 2121-V | 2101-V to 2121-V BOURNS SMD or Through Hole | 2101-V to 2121-V.pdf | |
![]() | LT1114DN | LT1114DN ORIGINAL DIP | LT1114DN.pdf | |
![]() | GJ03N70 | GJ03N70 GTM TO-252 | GJ03N70.pdf | |
![]() | CE.EMK316.F225ZF-T705 | CE.EMK316.F225ZF-T705 ORIGINAL SMD or Through Hole | CE.EMK316.F225ZF-T705.pdf | |
![]() | QFT303.875 | QFT303.875 QFT CAN3 | QFT303.875.pdf |