창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7306TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7306 | |
| 카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 1.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | SP001551228 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7306TR | |
| 관련 링크 | IRF73, IRF7306TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C911U180JYNDBAWL35 | 18pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U180JYNDBAWL35.pdf | |
![]() | CMF5534R800FKEB | RES 34.8 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5534R800FKEB.pdf | |
![]() | 7500M7-CS16 216D7CBBGA13 | 7500M7-CS16 216D7CBBGA13 ATI SMD or Through Hole | 7500M7-CS16 216D7CBBGA13.pdf | |
![]() | P-80C51WDW-12 | P-80C51WDW-12 ORIGINAL DIP40 | P-80C51WDW-12.pdf | |
![]() | TRF18-160V0 | TRF18-160V0 ORIGINAL SMD or Through Hole | TRF18-160V0.pdf | |
![]() | 40090Q2 | 40090Q2 TI TSSOP-24 | 40090Q2.pdf | |
![]() | HG62B40L31FS | HG62B40L31FS HIT QFP | HG62B40L31FS.pdf | |
![]() | I74F109D-T | I74F109D-T NXP SOP | I74F109D-T.pdf | |
![]() | MM5290N-20 | MM5290N-20 NSC DIP-16 | MM5290N-20.pdf | |
![]() | BZX84B13-V-GS08 | BZX84B13-V-GS08 VIS SMD or Through Hole | BZX84B13-V-GS08.pdf | |
![]() | SRR1005470Y | SRR1005470Y bourns SMD or Through Hole | SRR1005470Y.pdf | |
![]() | UPC8126K-C1 | UPC8126K-C1 NSC QFP-28 | UPC8126K-C1.pdf |