창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF710PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF710PBF Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 1.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF710PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF710PBF | |
| 관련 링크 | IRF71, IRF710PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| BAS283-GS08 | DIODE GEN PURP 60V 30MA SOD80 | BAS283-GS08.pdf | ||
![]() | SUM110N04-2M1P-E3 | MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK | SUM110N04-2M1P-E3.pdf | |
![]() | CRCW06037R68FKEA | RES SMD 7.68 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06037R68FKEA.pdf | |
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![]() | BtAKPJ110 | BtAKPJ110 BT PLCC | BtAKPJ110.pdf | |
![]() | MC10LT25D | MC10LT25D ON SOP-8 | MC10LT25D.pdf | |
![]() | AAP2981-25NIR1 | AAP2981-25NIR1 EUTECH SOT23-5 | AAP2981-25NIR1.pdf | |
![]() | 176114-6 | 176114-6 AMP SMD or Through Hole | 176114-6.pdf | |
![]() | EL357ND | EL357ND EVERLIGHT SOP-4 | EL357ND.pdf | |
![]() | TVL040201AB0 | TVL040201AB0 INPAQ ROHS | TVL040201AB0.pdf | |
![]() | UPB828D | UPB828D ORIGINAL SMD or Through Hole | UPB828D.pdf | |
![]() | NPC-1210-015G-3L/1L | NPC-1210-015G-3L/1L GE nova SMD or Through Hole | NPC-1210-015G-3L/1L.pdf |