창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF6810STRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF6810STR (1) PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF6810STR1PBF Saber Model IRF6810STR1PBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | MSL Update 20/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1038pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 S1 | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET S1 | |
표준 포장 | 4,800 | |
다른 이름 | IRF6810STRPBF-ND IRF6810STRPBFTR SP001530834 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF6810STRPBF | |
관련 링크 | IRF6810, IRF6810STRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0603D180FLXAJ | 18pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D180FLXAJ.pdf | ||
MA101A201MAA-BULK | 200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.090" Dia x 0.160" L(2.29mm x 4.07mm) | MA101A201MAA-BULK.pdf | ||
EMK042CG040CC-FW | 4pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | EMK042CG040CC-FW.pdf | ||
SIT8008AC-11-33E-80.000000D | OSC XO 3.3V 80MHZ OE | SIT8008AC-11-33E-80.000000D.pdf | ||
MMBZ5255C-HE3-08 | DIODE ZENER 28V 225MW SOT23-3 | MMBZ5255C-HE3-08.pdf | ||
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CC2592RGVT | IC RF 2.4 GHZ RANGE EXTENDER | CC2592RGVT.pdf | ||
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BBF-2012-2G4H6-B4 | BBF-2012-2G4H6-B4 MAGLAYERS O8O5-8 | BBF-2012-2G4H6-B4.pdf | ||
0402J 8M2 | 0402J 8M2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402J 8M2.pdf |