창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF6794MTR1PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF6794M(TR)1PBF | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF6794MTR1PBF Saber Model IRF6794MTR1PBF Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | Gen 10.x Products 12/Dec/2012 | |
| PCN 기타 | MSL Update 20/Feb/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Ta), 200A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4420pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ MX | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IRF6794MTR1PBFCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF6794MTR1PBF | |
| 관련 링크 | IRF6794M, IRF6794MTR1PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CD214B-T5.0ALF | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA | CD214B-T5.0ALF.pdf | |
![]() | TZX4V7D-TAP | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | TZX4V7D-TAP.pdf | |
![]() | 766165181APTR13 | RES NTWRK 28 RES MULT OHM 16SOIC | 766165181APTR13.pdf | |
![]() | Y000711K0000T9L | RES 11K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000711K0000T9L.pdf | |
![]() | C3277 | C3277 SANYO TO-3P | C3277.pdf | |
![]() | K7I323682C-FC20T00 | K7I323682C-FC20T00 SAMSUNG BGA165 | K7I323682C-FC20T00.pdf | |
![]() | ET6052 | ET6052 ELITE SOP20 | ET6052.pdf | |
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![]() | HAF1009S | HAF1009S Renesas TO-263 | HAF1009S.pdf | |
![]() | LP3986-33 | LP3986-33 LOWPOWER SOT23-5 | LP3986-33.pdf |