Infineon Technologies IRF6718L2TRPBF

IRF6718L2TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF6718L2TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
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내부 부품 번호EIS-IRF6718L2TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF6718L2TR(1)PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRF6718L2TR1PBF Saber Model
IRF6718L2TR1PBF Spice Model
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 20/Dec/2013
PCN 조립/원산지DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Additional Fab Site 07/Apr/2014
Die Epoxy Henkel 8064T Update 12/Nov/2014
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C61A(Ta), 270A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs0.7m옴 @ 61A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 150µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs96nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6500pF @ 13V
전력 - 최대4.3W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스DirectFET™ 아이소메트릭 L6
공급 장치 패키지DIRECTFET L6
표준 포장 4,000
다른 이름IRF6718L2TRPBF-ND
IRF6718L2TRPBFTR
SP001523928
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRF6718L2TRPBF
관련 링크IRF6718L, IRF6718L2TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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