창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF644STRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF644S, SiHF644S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 8.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF644STRRPBF | |
관련 링크 | IRF644S, IRF644STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D431JLAAR | 430pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D431JLAAR.pdf | |
AT24070002 | 24MHz ±30ppm 수정 18pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT24070002.pdf | ||
![]() | RNCF1206BTE1K10 | RES SMD 1.1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BTE1K10.pdf | |
![]() | H8332RBZA | RES 332 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8332RBZA.pdf | |
![]() | E623B | E623B ERICSSON SMD or Through Hole | E623B.pdf | |
![]() | 11182-001 | 11182-001 AMI PLCC84 | 11182-001.pdf | |
![]() | SAA4940H/V1 | SAA4940H/V1 PHILIPS SMD | SAA4940H/V1.pdf | |
![]() | S6B33BCX01-B0CY | S6B33BCX01-B0CY FSC SMD or Through Hole | S6B33BCX01-B0CY.pdf | |
![]() | IRS2156D | IRS2156D IR DIP14L | IRS2156D.pdf | |
![]() | PK1N534980525 | PK1N534980525 ON SMD or Through Hole | PK1N534980525.pdf | |
![]() | 1206 1% 470R | 1206 1% 470R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206 1% 470R.pdf | |
![]() | NP-FC10 | NP-FC10 ORIGINAL SMD or Through Hole | NP-FC10.pdf |