창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF640SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF640S(L)/SIHF640S(L) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF640SPBF | |
관련 링크 | IRF640, IRF640SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
FXO-HC730R-22.5792 | 22.5792MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC730R-22.5792.pdf | ||
DSC1121CI2-031.2500T | 31.25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121CI2-031.2500T.pdf | ||
1944R-17G | 2.2µH Unshielded Molded Inductor 610mA 750 mOhm Max Axial | 1944R-17G.pdf | ||
HMC435AMS8GETR | RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSOP | HMC435AMS8GETR.pdf | ||
PTFA092201EV1 | PTFA092201EV1 Infineon H-30260-2 | PTFA092201EV1.pdf | ||
SC-3970-BR | SC-3970-BR TEICOM SOP8 | SC-3970-BR.pdf | ||
TOIC8513P | TOIC8513P TOSH/ DIP-8 | TOIC8513P.pdf | ||
W6053S | W6053S SK TO-220 | W6053S.pdf | ||
2SD665 | 2SD665 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD665.pdf | ||
CY7C1325G-133BGXC | CY7C1325G-133BGXC CYPRESS BGA | CY7C1325G-133BGXC.pdf | ||
EC10QS04-TE12R/S4 | EC10QS04-TE12R/S4 IDT TSSOP-16 | EC10QS04-TE12R/S4.pdf | ||
EGHA350ELL101MH12D | EGHA350ELL101MH12D Chemi-con NA | EGHA350ELL101MH12D.pdf |