창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF640PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF640, SiHF640 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF640PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF640PBF | |
| 관련 링크 | IRF64, IRF640PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ELXS421VSN221MP50S | 220µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | ELXS421VSN221MP50S.pdf | |
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| HBB24-1.2-AG | AC/DC CONVERTER +/-24V 58W | HBB24-1.2-AG.pdf | ||
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![]() | CN400 G | CN400 G VIA SMD or Through Hole | CN400 G.pdf | |
![]() | N0633NC640 | N0633NC640 WESTCODE MODULE | N0633NC640.pdf | |
![]() | CHMC6650 | CHMC6650 CHMC DIP | CHMC6650.pdf | |
![]() | NAWU100M25V5X6.3JBF | NAWU100M25V5X6.3JBF NIC SMD or Through Hole | NAWU100M25V5X6.3JBF.pdf | |
![]() | CD8103N | CD8103N S DIP | CD8103N.pdf |