Infineon Technologies IRF630NSTRLPBF

IRF630NSTRLPBF
제조업체 부품 번호
IRF630NSTRLPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-IRF630NSTRLPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF630N
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 설계/사양Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
PCN 조립/원산지Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1517 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs300m옴 @ 5.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs35nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds575pF @ 25V
전력 - 최대82W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
다른 이름IRF630NSTRLPBF-ND
IRF630NSTRLPBFTR
SP001564548
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF630NSTRLPBF
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