Infineon Technologies IRF630NPBF

IRF630NPBF
제조업체 부품 번호
IRF630NPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
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내부 부품 번호EIS-IRF630NPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF630N
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 조립/원산지TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1513 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs300m옴 @ 5.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs35nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds575pF @ 25V
전력 - 최대82W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름*IRF630NPBF
SP001564792
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF630NPBF
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