창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF630NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF630N | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 5.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 575pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 82W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF630NPBF SP001564792 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF630NPBF | |
관련 링크 | IRF630, IRF630NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
03251.25MXP | FUSE CERAMIC 1.25A 250VAC 125VDC | 03251.25MXP.pdf | ||
ATS20ASM-1 | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS20ASM-1.pdf | ||
SP1008R-683J | 68µH Shielded Wirewound Inductor 112mA 9 Ohm Max Nonstandard | SP1008R-683J.pdf | ||
EE-SX954P-W 1M | U-SHP 5MM PW PNP 1M | EE-SX954P-W 1M.pdf | ||
PT4316-S(L) | PT4316-S(L) PTC SOP | PT4316-S(L).pdf | ||
STi5517SWC | STi5517SWC ST BGA | STi5517SWC.pdf | ||
KMPC8560CPX667JB | KMPC8560CPX667JB FREESCAL BGA | KMPC8560CPX667JB.pdf | ||
RTS5101-DVP | RTS5101-DVP REALTEK QFP | RTS5101-DVP.pdf | ||
MAX7221CWG+T | MAX7221CWG+T MAXIM SOP | MAX7221CWG+T.pdf | ||
SAB80C166MDA | SAB80C166MDA INFINEON QFP | SAB80C166MDA.pdf | ||
EKZH6R3ESS152MH20D | EKZH6R3ESS152MH20D NIPPON DIP | EKZH6R3ESS152MH20D.pdf | ||
CTX03-18839-R | CTX03-18839-R ARROWELECTRONICS SMD or Through Hole | CTX03-18839-R.pdf |