창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF624SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF624SPBF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1옴 @ 2.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRF624SPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF624SPBF | |
관련 링크 | IRF624, IRF624SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 12105C224JAT4A | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12105C224JAT4A.pdf | |
![]() | CRCW201044K2FKEF | RES SMD 44.2K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201044K2FKEF.pdf | |
![]() | Y0007400R000T9L | RES 400 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0007400R000T9L.pdf | |
![]() | WP3DP3BT | PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM | WP3DP3BT.pdf | |
![]() | SG3542J | SG3542J SG CDIP | SG3542J.pdf | |
![]() | CA3078E/AE | CA3078E/AE HARRIS DIP-8 | CA3078E/AE.pdf | |
![]() | CL160808T-10NM-N | CL160808T-10NM-N YAGEO SMD | CL160808T-10NM-N.pdf | |
![]() | R3130N45EC-TR | R3130N45EC-TR RICOH SMD or Through Hole | R3130N45EC-TR.pdf | |
![]() | 120178-50 | 120178-50 VOLEX SMD or Through Hole | 120178-50.pdf | |
![]() | LP3881T-1.8 | LP3881T-1.8 NS TO-220-5 | LP3881T-1.8.pdf | |
![]() | HS-P100V4B15 | HS-P100V4B15 ORIGINAL SMD or Through Hole | HS-P100V4B15.pdf | |
![]() | UA748S | UA748S ORIGINAL SOP | UA748S.pdf |