창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF6218PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF6218PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF6218PBF SP001564812 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF6218PBF | |
관련 링크 | IRF621, IRF6218PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 402F36033CLR | 36MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36033CLR.pdf | |
![]() | RG1005R-17R4-D-T10 | RES SMD 17.4 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005R-17R4-D-T10.pdf | |
![]() | RG2G475M10016PAA80 | RG2G475M10016PAA80 SAMWHA SMD or Through Hole | RG2G475M10016PAA80.pdf | |
![]() | ECWH12112JVB | ECWH12112JVB PANASONIC DIP | ECWH12112JVB.pdf | |
![]() | J796133641 | J796133641 H PLCC28 | J796133641.pdf | |
![]() | F30U60S===Fairchild | F30U60S===Fairchild ORIGINAL TO-220F-2L | F30U60S===Fairchild.pdf | |
![]() | MAX5385EZT+T | MAX5385EZT+T MAXIM TSOT23-6 | MAX5385EZT+T.pdf | |
![]() | FK28C0G2A181K | FK28C0G2A181K TDKwtdkcojp/tefe/efkpdf SMD or Through Hole | FK28C0G2A181K.pdf | |
![]() | GCIXE2412EAC2 | GCIXE2412EAC2 INTEL BGA | GCIXE2412EAC2.pdf | |
![]() | PM7383-PGI | PM7383-PGI PMC BGA | PM7383-PGI.pdf | |
![]() | SP14Q006T | SP14Q006T hit SMD or Through Hole | SP14Q006T.pdf | |
![]() | SA5234N/01,112 | SA5234N/01,112 NXP SA5234N DIP14 TUBE-B | SA5234N/01,112.pdf |