창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF6215PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF6215PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF6215PBF Saber Model IRF6215PBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF6215PBF SP001559672 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF6215PBF | |
관련 링크 | IRF621, IRF6215PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
T930J686MBA | T930J686MBA ORIGINAL B | T930J686MBA.pdf | ||
TC5054N | TC5054N TOSHIBA DIP | TC5054N.pdf | ||
BT8375EPF/28375G-23 | BT8375EPF/28375G-23 MINDSPEED QFP80 | BT8375EPF/28375G-23.pdf | ||
TLP2116A | TLP2116A TOSHIBA SO8 | TLP2116A.pdf | ||
467001.NRHF | 467001.NRHF LITTELFUSE SMD or Through Hole | 467001.NRHF.pdf | ||
A1121 | A1121 ALLEGRO SOT-23TO-92 | A1121.pdf | ||
MAX972CSA-T | MAX972CSA-T MAXIM SOP8 | MAX972CSA-T.pdf | ||
AH3-89-PCB | AH3-89-PCB WJ/ SOT-89 | AH3-89-PCB.pdf | ||
W7B951-SC | W7B951-SC ORIGINAL SOP | W7B951-SC.pdf | ||
FDS6382 | FDS6382 ORIGINAL SMD or Through Hole | FDS6382.pdf | ||
RD5.1M-T1GB | RD5.1M-T1GB NEC SOT23 | RD5.1M-T1GB.pdf | ||
GH06507B1B | GH06507B1B SHARP case | GH06507B1B.pdf |