창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF620SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF620S, SiHF620S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 3.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF620SPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF620SPBF | |
| 관련 링크 | IRF620, IRF620SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RCWL0603R750JNEA | RES SMD 0.75 OHM 5% 1/10W 0603 | RCWL0603R750JNEA.pdf | |
![]() | FODP817B300 | FODP817B300 FCS DIP | FODP817B300.pdf | |
![]() | 2SC3421-O/Y | 2SC3421-O/Y TOS TO-126 | 2SC3421-O/Y.pdf | |
![]() | HL-PC-2012R | HL-PC-2012R ORIGINAL SMD or Through Hole | HL-PC-2012R.pdf | |
![]() | 216-0728000 HD4570 M93 | 216-0728000 HD4570 M93 ATI BGA | 216-0728000 HD4570 M93.pdf | |
![]() | 244-21000-15 | 244-21000-15 EPT SMD or Through Hole | 244-21000-15.pdf | |
![]() | MN4024B | MN4024B MITSUBISHI SMD or Through Hole | MN4024B.pdf | |
![]() | TLP831(F) | TLP831(F) TOSHIBA PWBdirectmounting | TLP831(F).pdf | |
![]() | FQU5N25TU | FQU5N25TU fairchild TO-251 | FQU5N25TU.pdf | |
![]() | LTC3822EGN-1 | LTC3822EGN-1 LT SMD or Through Hole | LTC3822EGN-1.pdf | |
![]() | ADC14DS105CISQE | ADC14DS105CISQE NationalSemiconducto LLP | ADC14DS105CISQE.pdf | |
![]() | SMJ320C40GB40 | SMJ320C40GB40 TI SMD or Through Hole | SMJ320C40GB40.pdf |