창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF614STRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF614STRL | |
| 관련 링크 | IRF614, IRF614STRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RABAC2 | RABAC2 FAIRCHILD SOP-16 | RABAC2.pdf | |
![]() | IDH18E120 | IDH18E120 INFINEON PG-TO220-2 | IDH18E120.pdf | |
![]() | C335105 04 | C335105 04 ORIGINAL SMD | C335105 04.pdf | |
![]() | SST27SF010 | SST27SF010 ST DIP | SST27SF010.pdf | |
![]() | SDB20D100P | SDB20D100P AUK SMD or Through Hole | SDB20D100P.pdf | |
![]() | U3G | U3G ON/VISHAY SMD | U3G.pdf | |
![]() | 18125000222fc | 18125000222fc syfer SMD or Through Hole | 18125000222fc.pdf | |
![]() | ADS930E.. | ADS930E.. TI/BB SSOP28 | ADS930E...pdf | |
![]() | N4F046 | N4F046 ORIGINAL SMD or Through Hole | N4F046.pdf | |
![]() | GRM111CH110J500(11 | GRM111CH110J500(11 ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM111CH110J500(11.pdf | |
![]() | 32R2100RU10 | 32R2100RU10 TDK SSOP36 | 32R2100RU10.pdf | |
![]() | NEC4361 | NEC4361 NEC DIP | NEC4361.pdf |