창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF614SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF614S, SiHF614S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF614SPBF | |
| 관련 링크 | IRF614, IRF614SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D391FLAAJ | 390pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D391FLAAJ.pdf | |
![]() | CRCW060384K5FKEAHP | RES SMD 84.5K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW060384K5FKEAHP.pdf | |
![]() | FP5138BDR | FP5138BDR FEELING SMD or Through Hole | FP5138BDR.pdf | |
![]() | RD11P-T1/1108 | RD11P-T1/1108 NEC SOT-89 | RD11P-T1/1108.pdf | |
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![]() | SG3846BW | SG3846BW LINFINIT SOP16 | SG3846BW.pdf | |
![]() | HY57V643220DT-H | HY57V643220DT-H HY TSSOP | HY57V643220DT-H.pdf | |
![]() | 2SJ141(1) | 2SJ141(1) NEC TO220 | 2SJ141(1).pdf | |
![]() | 10*16-330UH | 10*16-330UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 10*16-330UH.pdf | |
![]() | DG528BCWN | DG528BCWN MAX SOP | DG528BCWN.pdf | |
![]() | RT8025-12GB | RT8025-12GB RICHTEK SOT23-5 | RT8025-12GB.pdf |