창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF614L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF614L | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF614L | |
관련 링크 | IRF6, IRF614L 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
LQW15AN5N2C80D | 5.2nH Unshielded Wirewound Inductor 1.77A 40 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN5N2C80D.pdf | ||
RMCP2010FT1M02 | RES SMD 1.02M OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT1M02.pdf | ||
SSDSA2MP040G2K5909120 | SSDSA2MP040G2K5909120 Intel SMD or Through Hole | SSDSA2MP040G2K5909120.pdf | ||
IR2E57M | IR2E57M SHARP TQFP | IR2E57M.pdf | ||
LM1981 | LM1981 NS DIP | LM1981.pdf | ||
912280002 | 912280002 MLX SMD | 912280002.pdf | ||
LE M 2520T-082K | LE M 2520T-082K ORIGINAL SMD or Through Hole | LE M 2520T-082K.pdf | ||
7871312 | 7871312 AMP SMD or Through Hole | 7871312.pdf | ||
MT28F640J3RG-115ETC | MT28F640J3RG-115ETC MICRON TSOP | MT28F640J3RG-115ETC.pdf | ||
IHSM-783233015 | IHSM-783233015 NA SMD or Through Hole | IHSM-783233015.pdf | ||
1933202 | 1933202 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1933202.pdf | ||
LMX5251SQ | LMX5251SQ NS QFN48LLP-48 | LMX5251SQ.pdf |