창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF610STRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF610S, SiHF610S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF610STRRPBF | |
관련 링크 | IRF610S, IRF610STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MKP383427040JII2B0 | 0.27µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP383427040JII2B0.pdf | |
![]() | DDZ9V1CS-7 | DIODE ZENER 9.07V 200MW SOD323 | DDZ9V1CS-7.pdf | |
![]() | ADUM4401CRIZ-RL | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 90Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ADUM4401CRIZ-RL.pdf | |
![]() | CRCW12101K02FKEAHP | RES SMD 1.02K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12101K02FKEAHP.pdf | |
![]() | RNF14GTD68K0 | RES 68K OHM 1/4W 2% AXIAL | RNF14GTD68K0.pdf | |
![]() | 0603 7.5NH | 0603 7.5NH ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 7.5NH.pdf | |
![]() | 306X70 | 306X70 ORIGINAL SMD or Through Hole | 306X70.pdf | |
![]() | L03 | L03 Tyco con | L03.pdf | |
![]() | M37451M4-176GP | M37451M4-176GP MIT QFP-80 | M37451M4-176GP.pdf | |
![]() | C1220X5R0J105M | C1220X5R0J105M TDK SMD | C1220X5R0J105M.pdf | |
![]() | CAT1025ZD4I-28-A2 | CAT1025ZD4I-28-A2 CAT SMD or Through Hole | CAT1025ZD4I-28-A2.pdf | |
![]() | TLVH431BIDCKRG4 | TLVH431BIDCKRG4 TI SOT-363 | TLVH431BIDCKRG4.pdf |