창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF610PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF610PBF Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF610PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF610PBF | |
| 관련 링크 | IRF61, IRF610PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602BI-13-33E-54.000000E | OSC XO 3.3V 54MHZ OE | SIT1602BI-13-33E-54.000000E.pdf | |
![]() | VS-MURD620CTTR-M3 | DIODE ARRAY GP 200V 6A TO252AA | VS-MURD620CTTR-M3.pdf | |
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![]() | 23086-1H | 23086-1H ORIGINAL TSSOP | 23086-1H.pdf | |
![]() | 29.5MHZ | 29.5MHZ KDS/CTS SMD or Through Hole | 29.5MHZ.pdf | |
![]() | HD4-15530B6175 | HD4-15530B6175 HAR SMD or Through Hole | HD4-15530B6175.pdf | |
![]() | AAV20A | AAV20A ST QFP32 | AAV20A.pdf | |
![]() | KS-20836L1 | KS-20836L1 Signetics TO-3 | KS-20836L1.pdf | |
![]() | CDRH4D22NP-56ONC | CDRH4D22NP-56ONC SUMIDA SMD | CDRH4D22NP-56ONC.pdf | |
![]() | SFH610A-2-X001 | SFH610A-2-X001 Vishay SMD or Through Hole | SFH610A-2-X001.pdf |