창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF540ZLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF540Z (S,L) PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRF540ZL Saber Model IRF540ZL Spice Model | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26.5m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 92W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF540ZLPBF SP001559652 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF540ZLPBF | |
| 관련 링크 | IRF540, IRF540ZLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RNF14GTD91K0 | RES 91K OHM 1/4W 2% AXIAL | RNF14GTD91K0.pdf | |
![]() | YR1B27R4CC | RES 27.4 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B27R4CC.pdf | |
![]() | CW0101K400KE73 | RES 1.4K OHM 13W 10% AXIAL | CW0101K400KE73.pdf | |
![]() | SE3362 | SE3362 SEI SMD or Through Hole | SE3362.pdf | |
![]() | 2132591-1 | 2132591-1 NS CAN12 | 2132591-1.pdf | |
![]() | DF250N12KOF | DF250N12KOF SANREX SMD or Through Hole | DF250N12KOF.pdf | |
![]() | EL7610AES | EL7610AES EL TSSOP28 | EL7610AES.pdf | |
![]() | PHB101NQ04LT | PHB101NQ04LT NXP SOT-252 | PHB101NQ04LT.pdf | |
![]() | XSPC850ZT66C | XSPC850ZT66C ORIGINAL SMD or Through Hole | XSPC850ZT66C.pdf | |
![]() | PCS500A | PCS500A Velleman SMD or Through Hole | PCS500A.pdf |