창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF540NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF540NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF540NPBF Saber Model IRF540NPBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF540NPBF 64-0092PBF 64-0092PBF-ND SP001561906 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF540NPBF | |
관련 링크 | IRF540, IRF540NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT9001AI-44-33E2-16.00000Y | OSC XO 3.3V 16MHZ OE 0.50% | SIT9001AI-44-33E2-16.00000Y.pdf | |
![]() | IRFR5505TRPBF | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | IRFR5505TRPBF.pdf | |
![]() | ISC1812ER561K | 560µH Shielded Wirewound Inductor 82mA 10.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ER561K.pdf | |
![]() | 2A250V130 | 2A250V130 ELCUT DO-2 | 2A250V130.pdf | |
![]() | LM4041DIZ-ADJ | LM4041DIZ-ADJ NSC TO-92-3 | LM4041DIZ-ADJ.pdf | |
![]() | AMS1117-3.3 TO23 | AMS1117-3.3 TO23 ORIGINAL TO23 | AMS1117-3.3 TO23.pdf | |
![]() | DS26C32TN | DS26C32TN NS DIP16 | DS26C32TN.pdf | |
![]() | MC44725AVFU | MC44725AVFU FREESCALE LQFP64 | MC44725AVFU.pdf | |
![]() | A5R0M | A5R0M MURATA SMD or Through Hole | A5R0M.pdf | |
![]() | ECJMF1A106Z | ECJMF1A106Z N/A 1206-106Z | ECJMF1A106Z.pdf | |
![]() | 9819NBN | 9819NBN AMI PLCC | 9819NBN.pdf |