창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF530STRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF530S, SiHF530S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 8.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRF530STRRPBF-ND IRF530STRRPBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF530STRRPBF | |
관련 링크 | IRF530S, IRF530STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SP1011-04UTG | TVS DIODE 6VWM 10.2VC UDFN6 | SP1011-04UTG.pdf | |
![]() | 632N3I060M00000 | 60MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 10mA Enable/Disable | 632N3I060M00000.pdf | |
![]() | STB30150CTR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK | STB30150CTR.pdf | |
![]() | 6386w-1-202 | 6386w-1-202 GOLDEN SOP8 | 6386w-1-202.pdf | |
![]() | BAW56T SOT416-A1 | BAW56T SOT416-A1 NXP/PHILIPS SOT-416 | BAW56T SOT416-A1.pdf | |
![]() | SA19A-E3/54 | SA19A-E3/54 VISHAY DO-15 | SA19A-E3/54.pdf | |
![]() | 0201-4.22M | 0201-4.22M YOGEO// SMD or Through Hole | 0201-4.22M.pdf | |
![]() | MRF24J40 | MRF24J40 MICROCHIP 40QFN | MRF24J40.pdf | |
![]() | LP339DR2 | LP339DR2 TI SOP8 | LP339DR2.pdf | |
![]() | 76SB08ST | 76SB08ST ORIGINAL SMD or Through Hole | 76SB08ST.pdf | |
![]() | SMBJ5943BTR-T | SMBJ5943BTR-T Microsemi DO-214AA | SMBJ5943BTR-T.pdf | |
![]() | NS375L-5CLA-4 | NS375L-5CLA-4 NITRIDE TO-2 | NS375L-5CLA-4.pdf |