창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF520STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF520S, SiHF520S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF520STRR | |
| 관련 링크 | IRF520, IRF520STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385351040JC02G0 | 0.051µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm) | MKP385351040JC02G0.pdf | |
![]() | 750311880 | TRANS FLYBACK TPS55010 SMD | 750311880.pdf | |
![]() | K303 | K303 FUJI SOT-223 | K303.pdf | |
![]() | 25YXA6800M18X35.5 | 25YXA6800M18X35.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25YXA6800M18X35.5.pdf | |
![]() | XC600E-6FG680I | XC600E-6FG680I XILINX BGA | XC600E-6FG680I.pdf | |
![]() | MSA-0385 (A03) | MSA-0385 (A03) HP SMD or Through Hole | MSA-0385 (A03).pdf | |
![]() | PH4 | PH4 ORIGINAL SMD or Through Hole | PH4.pdf | |
![]() | FAP202 | FAP202 HEWLETT NA | FAP202.pdf | |
![]() | K2436 | K2436 N/A TO220 | K2436.pdf | |
![]() | TMS9980ANL | TMS9980ANL TI SMD or Through Hole | TMS9980ANL.pdf | |
![]() | BCM5805KQB | BCM5805KQB BCM TQFP | BCM5805KQB.pdf | |
![]() | HTT1132E | HTT1132E HITACHI SOT-666 | HTT1132E.pdf |