창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF520NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF520NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF520N Saber Model IRF520N Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 5.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF520NPBF SP001571310 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF520NPBF | |
관련 링크 | IRF520, IRF520NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SAC50-E3/54 | TVS DIODE 50VWM 88VC DO204AC | SAC50-E3/54.pdf | |
![]() | 4P24MF35CST | 24.7456MHz ±30ppm 수정 시리즈 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P24MF35CST.pdf | |
![]() | CRCW0603374RFKTB | RES SMD 374 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603374RFKTB.pdf | |
![]() | Y144220K0000F0L | RES 20K OHM 1/2W 1% RADIAL | Y144220K0000F0L.pdf | |
![]() | 20V0.5W | 20V0.5W ORIGINAL SMD or Through Hole | 20V0.5W.pdf | |
![]() | 29M06/PEP-3 | 29M06/PEP-3 TI DIP | 29M06/PEP-3.pdf | |
![]() | 402C | 402C OMRON DIP-8 | 402C.pdf | |
![]() | 5380AP | 5380AP MOTO DIP | 5380AP.pdf | |
![]() | PH8440 | PH8440 ORIGINAL SMD or Through Hole | PH8440.pdf | |
![]() | I3-370M/NO RAM | I3-370M/NO RAM ASROCK NA | I3-370M/NO RAM.pdf | |
![]() | TOA-L10ZMR | TOA-L10ZMR OASIS ROHS | TOA-L10ZMR.pdf | |
![]() | PSD313-12JZ | PSD313-12JZ WSI PLCC-44 | PSD313-12JZ.pdf |