창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF510SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF510S, SiHF510S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF510SPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF510SPBF | |
관련 링크 | IRF510, IRF510SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | Y070698R0000F0L | RES 98 OHM .4W 1% RADIAL | Y070698R0000F0L.pdf | |
![]() | MP50/5.0A | MP50/5.0A ORIGINAL SMD or Through Hole | MP50/5.0A.pdf | |
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![]() | MB508PF-G-BND-JN-EF | MB508PF-G-BND-JN-EF FUJ SOP8 | MB508PF-G-BND-JN-EF.pdf | |
![]() | UPD6461GS-664-E1 | UPD6461GS-664-E1 NEC SOP | UPD6461GS-664-E1.pdf | |
![]() | S3E-5V/DC5V | S3E-5V/DC5V NAIS SMD or Through Hole | S3E-5V/DC5V.pdf | |
![]() | NT511740ASJ60 | NT511740ASJ60 NAN SOJ OB | NT511740ASJ60.pdf | |
![]() | B1015AS-8R2N=P3 | B1015AS-8R2N=P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | B1015AS-8R2N=P3.pdf |