창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF4905LPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF4905(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF4905LPBF Saber Model IRF4905LPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | D2PAK Additional Assembly Site 17/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 42A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-2156PBF 64-2156PBF-ND SP001563376 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF4905LPBF | |
관련 링크 | IRF490, IRF4905LPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | VJ0402D360MXAAJ | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D360MXAAJ.pdf | |
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![]() | 620K0.6W1 | 620K0.6W1 OHMEGA SMD or Through Hole | 620K0.6W1.pdf | |
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![]() | WLP102M1HL20 | WLP102M1HL20 JAMICON SMD or Through Hole | WLP102M1HL20.pdf | |
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![]() | TTA1943-O(Q)TTC5200-O(Q) | TTA1943-O(Q)TTC5200-O(Q) TOSHIBA TO-3P | TTA1943-O(Q)TTC5200-O(Q).pdf |