창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF4905LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF4905(S,L)PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRF4905LPBF Saber Model IRF4905LPBF Spice Model | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | D2PAK Additional Assembly Site 17/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 42A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 64-2156PBF 64-2156PBF-ND SP001563376 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF4905LPBF | |
| 관련 링크 | IRF490, IRF4905LPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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| 10YXG150MEFCTA6.3X11 | 150µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | 10YXG150MEFCTA6.3X11.pdf | ||
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![]() | STK650-513 | STK650-513 SANYO SMD or Through Hole | STK650-513.pdf | |
![]() | WR06X682 JTL | WR06X682 JTL WALSIN LEADFREE | WR06X682 JTL.pdf | |
![]() | D2601N86T | D2601N86T EUPEC Module | D2601N86T.pdf | |
![]() | BAT54S-7-F-KL4 | BAT54S-7-F-KL4 ORIGINAL SOT-23 | BAT54S-7-F-KL4.pdf | |
![]() | 2SB776A(TX) | 2SB776A(TX) PAN SMD or Through Hole | 2SB776A(TX).pdf |