창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3805PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3805(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF3805LPBF Saber Model IRF3805LPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001561690 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3805PBF | |
관련 링크 | IRF380, IRF3805PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | T528I336M010ATE200 | 33µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 200 mOhm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T528I336M010ATE200.pdf | |
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![]() | 18KOHM1/4W1PRO | 18KOHM1/4W1PRO ORIGINAL SMD or Through Hole | 18KOHM1/4W1PRO.pdf | |
![]() | VKF55-12i07 | VKF55-12i07 IXYS SMD or Through Hole | VKF55-12i07.pdf | |
![]() | M29DW256G70ZA6E/M29DW256G70ZA6F | M29DW256G70ZA6E/M29DW256G70ZA6F MICRON TBGA-64 | M29DW256G70ZA6E/M29DW256G70ZA6F.pdf | |
![]() | AD630TD/883 | AD630TD/883 AD DIP20 | AD630TD/883.pdf | |
![]() | SC3107C-027 | SC3107C-027 SUPERCHIP DIP/SOP | SC3107C-027.pdf | |
![]() | 603995-1 | 603995-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 603995-1.pdf |