창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3703PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3703PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 210A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 76A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 209nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3703PBF SP001574662 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3703PBF | |
관련 링크 | IRF370, IRF3703PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MAL213661101E3 | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | MAL213661101E3.pdf | |
![]() | AR205C104K4R | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.260" L x 0.200" W(6.60mm x 5.08mm) | AR205C104K4R.pdf | |
![]() | CX2520SB24000D0FLJZ1 | CX2520SB24000D0FLJZ1 KYOCERAELE SMD DIP | CX2520SB24000D0FLJZ1.pdf | |
![]() | B2NA012Z | B2NA012Z ORIGINAL SMD or Through Hole | B2NA012Z.pdf | |
![]() | TMS1035 | TMS1035 TEXAS DIP | TMS1035.pdf | |
![]() | OPE2275HD256 | OPE2275HD256 ORIGINAL NEW | OPE2275HD256.pdf | |
![]() | 70C40BF | 70C40BF BBC STUD | 70C40BF.pdf | |
![]() | SN74HC573APWR(04+) | SN74HC573APWR(04+) TI SOP | SN74HC573APWR(04+).pdf | |
![]() | AD7541BQ | AD7541BQ ad dip18 | AD7541BQ.pdf | |
![]() | CBM100505U151 | CBM100505U151 FH SMD | CBM100505U151.pdf | |
![]() | 48GB12V 300 RPM | 48GB12V 300 RPM ORIGINAL SMD or Through Hole | 48GB12V 300 RPM.pdf | |
![]() | 2TL1-12 | 2TL1-12 ORIGINAL NEW | 2TL1-12.pdf |