창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3546MTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3546 | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 4 N 채널 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc), 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 27A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1310pF @ 13V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 41-PowerVFQFN | |
공급 장치 패키지 | 41-PQFN(6x8) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRF3546MTRPBF-ND IRF3546MTRPBFTR SP001530116 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3546MTRPBF | |
관련 링크 | IRF3546, IRF3546MTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | MS24660-30F | MS24660-30F Honeywell SMD or Through Hole | MS24660-30F.pdf | |
![]() | 25.000MX | 25.000MX TDK CCR25.0MX7T(2.5*4) | 25.000MX.pdf | |
![]() | 4D03J0102T5E | 4D03J0102T5E ROYALOHM SMD or Through Hole | 4D03J0102T5E.pdf | |
![]() | HIF3F-34PA-2.54DSA | HIF3F-34PA-2.54DSA HRS SMD or Through Hole | HIF3F-34PA-2.54DSA.pdf | |
![]() | SC006M1200B5S-1015 | SC006M1200B5S-1015 YAGEO DIP | SC006M1200B5S-1015.pdf | |
![]() | Z8.2A | Z8.2A ORIGINAL DO-35 | Z8.2A.pdf | |
![]() | KT18-ECV28N-19.200M-T | KT18-ECV28N-19.200M-T ORIGINAL SMD | KT18-ECV28N-19.200M-T.pdf | |
![]() | ZFM-3-SMA+ | ZFM-3-SMA+ MINI SMD or Through Hole | ZFM-3-SMA+.pdf | |
![]() | DN64CY8 | DN64CY8 N/A SMD | DN64CY8.pdf |