창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF3415SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF3415S(LPbF) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF3415SPBF 64-2079PBF 64-2079PBF-ND SP001561532 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF3415SPBF | |
| 관련 링크 | IRF341, IRF3415SPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | 30LVSS10QQ-R | 10000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.720" Dia(18.30mm) | 30LVSS10QQ-R.pdf | |
![]() | P6KE440CATR | TVS DIODE 376VWM 600VC DO15 | P6KE440CATR.pdf | |
![]() | LB2012T100M | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 700 mOhm 0805 (2012 Metric) | LB2012T100M.pdf | |
![]() | RNCF0805BTE4K70 | RES SMD 4.7K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BTE4K70.pdf | |
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![]() | AD6523 | AD6523 ORIGINAL SSOP | AD6523.pdf | |
![]() | MC3411U | MC3411U ABOV QFN | MC3411U.pdf | |
![]() | FB1LZQ-T1B | FB1LZQ-T1B NEC SOT23 | FB1LZQ-T1B.pdf | |
![]() | KPJ2547-06-SMT | KPJ2547-06-SMT ORIGINAL SMD or Through Hole | KPJ2547-06-SMT.pdf | |
![]() | KSR2105 | KSR2105 FAIRCHILD SOT23 | KSR2105.pdf |