창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF3205ZSTRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF3205Z(S,L) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 66A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF3205ZSTRR | |
| 관련 링크 | IRF3205, IRF3205ZSTRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | Y1121681R000B9L | RES SMD 681 OHM 0.1% 1/4W J LEAD | Y1121681R000B9L.pdf | |
![]() | CMF556K8000BHBF | RES 6.8K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF556K8000BHBF.pdf | |
![]() | DF2377RVFQ33V | DF2377RVFQ33V RENESAS SMD or Through Hole | DF2377RVFQ33V.pdf | |
![]() | NBC3105 | NBC3105 PAN DIP-28 | NBC3105.pdf | |
![]() | NC7WZ38L8X | NC7WZ38L8X FAIRCHILD MAC08A | NC7WZ38L8X.pdf | |
![]() | 3804IP | 3804IP ORIGINAL QFN | 3804IP.pdf | |
![]() | HM3-6518-9 | HM3-6518-9 HARRIS SMD or Through Hole | HM3-6518-9.pdf | |
![]() | NEC2035 | NEC2035 NEC QFN | NEC2035.pdf | |
![]() | MPSS1007D | MPSS1007D PANDUIT SMD or Through Hole | MPSS1007D.pdf | |
![]() | S114T | S114T ORIGINAL SMD or Through Hole | S114T.pdf | |
![]() | DF100LA | DF100LA ORIGINAL SMD or Through Hole | DF100LA.pdf |