창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3205ZSTRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3205Z(S,L) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 66A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3205ZSTRL | |
관련 링크 | IRF3205, IRF3205ZSTRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 0697H0800-01 | FUSE BRD MNT 800MA 350VAC 100VDC | 0697H0800-01.pdf | |
![]() | Y16254K99000T0W | RES SMD 4.99KOHM 0.01% 0.3W 1206 | Y16254K99000T0W.pdf | |
![]() | HY12-P | HY12-P ORIGINAL SMD or Through Hole | HY12-P.pdf | |
![]() | SAWEN881MCX0F00R14 | SAWEN881MCX0F00R14 ORIGINAL SMD | SAWEN881MCX0F00R14.pdf | |
![]() | K4S511632M-TC75000 | K4S511632M-TC75000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S511632M-TC75000.pdf | |
![]() | ARAWO | ARAWO BZD SOT23-6 | ARAWO.pdf | |
![]() | 2SD2314 | 2SD2314 RHM TO-92L | 2SD2314.pdf | |
![]() | OP284ES-REEL7 | OP284ES-REEL7 AD SMD or Through Hole | OP284ES-REEL7.pdf | |
![]() | RB160M-90TF TR | RB160M-90TF TR ROHM SOD123 | RB160M-90TF TR.pdf | |
![]() | BTB16-600SRG.. | BTB16-600SRG.. ST TO-220 | BTB16-600SRG...pdf |