창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3205ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3205Z(S,L) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 66A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3205ZPBF 64-0096PBF 64-0096PBF-ND SP001574672 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3205ZPBF | |
관련 링크 | IRF320, IRF3205ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SIT3808AC-2-18EH | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Enable/Disable | SIT3808AC-2-18EH.pdf | ||
AT0402CRD072K43L | RES SMD 2.43K OHM 1/16W 0402 | AT0402CRD072K43L.pdf | ||
SM2615FT2R49 | RES SMD 2.49 OHM 1% 1W 2615 | SM2615FT2R49.pdf | ||
CMF60891K00DHBF | RES 891K OHM 1W 0.5% AXIAL | CMF60891K00DHBF.pdf | ||
MC74NC646N | MC74NC646N MIT DIP | MC74NC646N.pdf | ||
CM53004AS | CM53004AS CCMING SMD or Through Hole | CM53004AS.pdf | ||
N81-A230X,2R230 | N81-A230X,2R230 EPCOS 8 6 | N81-A230X,2R230.pdf | ||
DE1205-27 | DE1205-27 FERROCORE SMD or Through Hole | DE1205-27.pdf | ||
PMI8152FS | PMI8152FS PMI SOP8 | PMI8152FS.pdf | ||
0805-1K78-0.5% | 0805-1K78-0.5% SUSUMU SMD or Through Hole | 0805-1K78-0.5%.pdf | ||
PZTTE2512B | PZTTE2512B ROHM DO-214AC | PZTTE2512B.pdf |