창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF3205ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF3205Z(S,L) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 66A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF3205ZPBF 64-0096PBF 64-0096PBF-ND SP001574672 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF3205ZPBF | |
| 관련 링크 | IRF320, IRF3205ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BK/SC-1/2 | BUSS SC FUSE CLASS G | BK/SC-1/2.pdf | |
![]() | LP098F33IDT | 9.8304MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP098F33IDT.pdf | |
![]() | HRG3216P-1541-B-T5 | RES SMD 1.54K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1541-B-T5.pdf | |
![]() | EH508V17O1G1 | EH508V17O1G1 AHL SMD or Through Hole | EH508V17O1G1.pdf | |
![]() | NE02139 | NE02139 RENESAS SOT143 | NE02139.pdf | |
![]() | Excn38 | Excn38 ORIGINAL BGA | Excn38.pdf | |
![]() | JS1-5V | JS1-5V Panasonic DIP | JS1-5V.pdf | |
![]() | BCR12CM-10L | BCR12CM-10L Mitsubishi TO-220 | BCR12CM-10L.pdf | |
![]() | 9090N | 9090N ORIGINAL SOT-23 | 9090N.pdf | |
![]() | KL732BTTE82NG | KL732BTTE82NG KOA SMD | KL732BTTE82NG.pdf | |
![]() | PZM33NB2 | PZM33NB2 ph SMD or Through Hole | PZM33NB2.pdf | |
![]() | CA31937 | CA31937 HARRIS CAN8 | CA31937.pdf |