창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3205SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3205(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF3205SPBF Saber Model IRF3205SPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 62A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 146nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3247pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3205SPBF 64-2035PBF 64-2035PBF-ND SP001576776 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3205SPBF | |
관련 링크 | IRF320, IRF3205SPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RT1206DRE0778K7L | RES SMD 78.7K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0778K7L.pdf | ||
TA7277P | TA7277P TOSHIBA HZIP12 | TA7277P.pdf | ||
M5M5188BJ232100-20 | M5M5188BJ232100-20 ORIGINAL SOJ | M5M5188BJ232100-20.pdf | ||
74ABTH16260DLRG4 | 74ABTH16260DLRG4 TI SSOP56 | 74ABTH16260DLRG4.pdf | ||
DA28F640J515O | DA28F640J515O INTEL SMD or Through Hole | DA28F640J515O.pdf | ||
XSTV1096-B | XSTV1096-B ST SMD or Through Hole | XSTV1096-B.pdf | ||
2SC4871-3 | 2SC4871-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC4871-3.pdf | ||
UMD2 N TR | UMD2 N TR ROHM SOT-363 | UMD2 N TR.pdf | ||
TPS40140RHHT | TPS40140RHHT TI QFN36 | TPS40140RHHT.pdf | ||
LR38830ABS-H | LR38830ABS-H SHARP SMD or Through Hole | LR38830ABS-H.pdf |