Infineon Technologies IRF2807STRLPBF

IRF2807STRLPBF
제조업체 부품 번호
IRF2807STRLPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-IRF2807STRLPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF2807(S,L)PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRF2807L Saber Model
IRF2807L Spice Model
PCN 설계/사양Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
PCN 조립/원산지Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1516 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)75V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C82A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs13m옴 @ 43A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs160nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3820pF @ 25V
전력 - 최대230W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
다른 이름IRF2807STRLPBF-ND
IRF2807STRLPBFTR
SP001564210
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRF2807STRLPBF
관련 링크IRF2807S, IRF2807STRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IRF2807STRLPBF 의 관련 제품
20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ECS-200-20-28A-TR.pdf
RES SMD 931K OHM 1% 1/4W 1206 RE1206FRE07931KL.pdf
RES SMD 1.78K OHM 0.1% 1/4W 1206 TNPW12061K78BETA.pdf
64155C CT SMD or Through Hole 64155C.pdf
1206B105K1600T ORIGINAL SMD or Through Hole 1206B105K1600T.pdf
2KBP04G ORIGINAL SMD or Through Hole 2KBP04G.pdf
9774m CXD HSSOP36 9774m.pdf
TLRG4400CU VISHAY 2010 TLRG4400CU.pdf
FBR5001 EIC SMD or Through Hole FBR5001.pdf
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D70216 NEC PLCC D70216.pdf
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