창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF2204SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF2204SPbF, IRF2204LPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 130A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5890pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF2204SPBF SP001563220 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF2204SPBF | |
관련 링크 | IRF220, IRF2204SPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 520R20HT16M3680 | 16.368MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3V 2mA | 520R20HT16M3680.pdf | |
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![]() | WS1A1500J | RES 150 OHM 1W 5% AXIAL | WS1A1500J.pdf | |
![]() | ATSAMR21G18A-MFT | IC RF TxRx + MCU General ISM > 1GHZ 2.4GHz 48-VFQFN Exposed Pad | ATSAMR21G18A-MFT.pdf | |
![]() | MC54LS166J | MC54LS166J MOT DIP | MC54LS166J.pdf | |
![]() | 3N60ZFP | 3N60ZFP ST TO-220 | 3N60ZFP.pdf | |
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![]() | NLP-50 | NLP-50 MINI SMD or Through Hole | NLP-50.pdf | |
![]() | 54S01/BEAJC | 54S01/BEAJC TI CDIP | 54S01/BEAJC.pdf | |
![]() | CSA20-141N-T | CSA20-141N-T ORIGINAL DIP | CSA20-141N-T.pdf | |
![]() | 19-23848-02 | 19-23848-02 ML DIP | 19-23848-02.pdf |