창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF2204PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF2204PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 210A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 130A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5890pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF2204PBF SP001576552 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF2204PBF | |
관련 링크 | IRF220, IRF2204PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMF55332R00FEBF | RES 332 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55332R00FEBF.pdf | |
![]() | OPB902W55 | SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP | OPB902W55.pdf | |
![]() | AO3407AL | AO3407AL ALPHA SMD or Through Hole | AO3407AL.pdf | |
![]() | HA5260 | HA5260 INTERSIL SOP8 | HA5260.pdf | |
![]() | LM208AH/883 | LM208AH/883 NS CAN8 | LM208AH/883.pdf | |
![]() | LM36C278TM | LM36C278TM NS SOP | LM36C278TM.pdf | |
![]() | 5B31-07 | 5B31-07 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5B31-07 .pdf | |
![]() | MB84060BP | MB84060BP FUJ DIP-16 | MB84060BP.pdf | |
![]() | XC6206Pxx2Mx | XC6206Pxx2Mx ORIGINAL SOT-23-3 | XC6206Pxx2Mx.pdf | |
![]() | FAR-D5GA-881M50-D1AA-Z | FAR-D5GA-881M50-D1AA-Z FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-D5GA-881M50-D1AA-Z.pdf | |
![]() | TLV1117-50IKVURG3 | TLV1117-50IKVURG3 TI SMD or Through Hole | TLV1117-50IKVURG3.pdf | |
![]() | SE8117 3.3V | SE8117 3.3V ORIGINAL SOT223TO252 | SE8117 3.3V.pdf |