창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF2204PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF2204PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 210A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 130A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5890pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF2204PBF SP001576552 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF2204PBF | |
관련 링크 | IRF220, IRF2204PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
IXGT32N90B2D1 | IGBT 900V 64A 300W TO268 | IXGT32N90B2D1.pdf | ||
RMCF1206JG24K0 | RES SMD 24K OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JG24K0.pdf | ||
MCU08050D2320BP100 | RES SMD 232 OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D2320BP100.pdf | ||
CMF552M2000FKEB70 | RES 2.2M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552M2000FKEB70.pdf | ||
TF109WP | TF109WP DENSO DIP64 | TF109WP.pdf | ||
RCT05163JTP | RCT05163JTP RALEC SMD0805 | RCT05163JTP.pdf | ||
66T19 | 66T19 SD TO92 | 66T19.pdf | ||
XB1678B | XB1678B TI TSSOP | XB1678B.pdf | ||
ATS49/U-40.000MHZ 18PF | ATS49/U-40.000MHZ 18PF BUCHAN SMD or Through Hole | ATS49/U-40.000MHZ 18PF.pdf | ||
KAB 2402 801 NA31 | KAB 2402 801 NA31 MATSUO SMD or Through Hole | KAB 2402 801 NA31.pdf | ||
F1M9S | F1M9S NO SMD or Through Hole | F1M9S.pdf | ||
KM-2520A01SGD001 | KM-2520A01SGD001 KGB SMD or Through Hole | KM-2520A01SGD001.pdf |