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Infineon Technologies IRF200B211

IRF200B211
제조업체 부품 번호
IRF200B211
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
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내부 부품 번호EIS-IRF200B211
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF200B211
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®, StrongIRFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs170m옴 @ 7.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.9V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds790pF @ 50V
전력 - 최대80W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름SP001561622
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF200B211
관련 링크IRF200, IRF200B211 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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