창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1607PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1607PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 142A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 85A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 320nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 380W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF1607PBF SP001553894 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1607PBF | |
| 관련 링크 | IRF160, IRF1607PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | S1812-391K | 390nH Shielded Inductor 876mA 260 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-391K.pdf | |
![]() | PE2010FKF7W0R018L | RES SMD 0.018 OHM 1% 1W 2010 | PE2010FKF7W0R018L.pdf | |
![]() | RT3DL1M-T111A | RT3DL1M-T111A MITSUB SOT-363 | RT3DL1M-T111A.pdf | |
![]() | P-1660A-STA(51) | P-1660A-STA(51) HRS SMD or Through Hole | P-1660A-STA(51).pdf | |
![]() | 1441LQFP | 1441LQFP INFINEON SMD or Through Hole | 1441LQFP.pdf | |
![]() | 1PRF2442TR13 | 1PRF2442TR13 RF SMD or Through Hole | 1PRF2442TR13.pdf | |
![]() | 24.00M-HC49 | 24.00M-HC49 ORIGINAL SMD or Through Hole | 24.00M-HC49.pdf | |
![]() | ADS1110A0IDBVT-TI | ADS1110A0IDBVT-TI ORIGINAL SMD or Through Hole | ADS1110A0IDBVT-TI.pdf | |
![]() | FW82810DC 100SL3P6 | FW82810DC 100SL3P6 INTEL BGA | FW82810DC 100SL3P6.pdf | |
![]() | BC257 | BC257 ITT TO-92 | BC257.pdf | |
![]() | BD67891MUV-E2 | BD67891MUV-E2 ROHM SMD or Through Hole | BD67891MUV-E2.pdf |