창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1607PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1607PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 142A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 85A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 320nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 380W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF1607PBF SP001553894 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1607PBF | |
| 관련 링크 | IRF160, IRF1607PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | C911U680JZSDBAWL45 | 68pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U680JZSDBAWL45.pdf | |
![]() | NLV32T-R22J-EF | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 320 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-R22J-EF.pdf | |
![]() | RNF18FTD220R | RES 220 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD220R.pdf | |
![]() | DP16HN24A25F | DP16 HOR 24P NDET 25F M9*5MM | DP16HN24A25F.pdf | |
![]() | 74AA240A | 74AA240A ORIGINAL SOP | 74AA240A.pdf | |
![]() | R1224N102H-TLB | R1224N102H-TLB RICOH SOT353 | R1224N102H-TLB.pdf | |
![]() | SK14/B | SK14/B PANJIT SK14B | SK14/B.pdf | |
![]() | ATC650F0R5AT250XT(0.5P) | ATC650F0R5AT250XT(0.5P) ATC SMD or Through Hole | ATC650F0R5AT250XT(0.5P).pdf | |
![]() | P90CL303BFH | P90CL303BFH PHILIPS QFP80 | P90CL303BFH.pdf | |
![]() | IX1054 | IX1054 SHARP DIP | IX1054.pdf |