창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1405ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF1405Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF1405Z Saber Model IRF1405Z Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF1405ZPBF 64-0097PBF 64-0097PBF-ND SP001563230 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF1405ZPBF | |
관련 링크 | IRF140, IRF1405ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MP4-2L-2L-4NN-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-2L-2L-4NN-00.pdf | |
![]() | TNPU0603243RAZEN00 | RES SMD 243 OHM 0.05% 1/10W 0603 | TNPU0603243RAZEN00.pdf | |
![]() | 77063271P | RES ARRAY 3 RES 270 OHM 6SIP | 77063271P.pdf | |
![]() | H4499RBYA | RES 499 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4499RBYA.pdf | |
![]() | WRA4812S-1W | WRA4812S-1W GANMA SIP | WRA4812S-1W.pdf | |
![]() | 3029049 | 3029049 ST SOP-3.9-8P | 3029049.pdf | |
![]() | AXT654124LG1 | AXT654124LG1 PANASONI CONNECTO | AXT654124LG1.pdf | |
![]() | UK301A-ES | UK301A-ES ICS SSOP | UK301A-ES.pdf | |
![]() | IRLL1255TR | IRLL1255TR IR/VISHAY SMD or Through Hole | IRLL1255TR.pdf | |
![]() | TCFGD1C107K8R | TCFGD1C107K8R ROHM SMD | TCFGD1C107K8R.pdf | |
![]() | PM100HES060 | PM100HES060 MITSUBISHI SMD or Through Hole | PM100HES060.pdf |